本章教程我们将和大家继续解读VASP手册，本章教程主要和大家分享一下重要的参数。
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NBANDS
NBANDS确定了计算中的实际带数。建议以下规则取其值：NBANDS = NELECT/2 + NIONS/2。这样设置在大多数情况下是没问题的。在某些情况下，对于大体系而言，可以将附加带的数量减少到NIONS/4，而不会造成性能损失，但是另一方面，过渡金属需要大量的空带（最多2*NIONS）。实际上NBANDS是核数的整数倍就可以，否则VASP会自动调整成整数倍。
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由于k点采样而导致的误差。
由于k点网格引起的误差是不可“transferable”的，即9×9×9 k点网格导致fcc，bcc和sc的误差完全不同。因此，k点取样的时候一定要非常的小心。
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由于截断能ENCUT引起的误差。
此误差是“transferable”的，即默认截断能ENCUT（从POTCAR文件中读取）在大多数情况下是可靠的，也可以得出在几电子伏特范围内能量误差能得到准确的值。应力张量是一个例外，它相对于平面波基组的大小收敛非常慢。
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环绕误差（见部分算法包）。
这些误差是由于FFT网格不足而引起的，与由于截断能ENCUT而产生的误差不同。如果使用默认的截断能ENCUT（从POTCAR文件中读取），那么即使FFT网格不够用，环绕误差也通常很小（每个原子几meV）。原因是VASP中的默认截断能ENCUT相当大，因此，在发生这类错误的地方电荷密度和电势只占了一小部分。
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由于实际空间投影而导致的错误。
实空间投影会引入其他（较小）误差。这些误差很明显，即如果一直同一个实空间投影运算符，则这些错误几乎是常数。总之，为使误差最小化，在所有计算中，应该对ENCUT，ENAUG，PREC，LREAL和ROPT使用相同的设置，并且这些开关应该在INCAR文件中明确指定。另外，最好在可能的情况下对所有计算使用相同的超胞。
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关于截断能ENCUT和FFT网格的两个提示
适用于软部分的标准同样应该适用于总电荷密度。如果第二个网格太小了，这个力也可能时错误的（导致力有一个total drift）。第二个网格仅仅在使用超软赝势时结合使用。对于模守恒赝势，电荷密度和局域电势都不需要设置在适当的网格上。如果包括非常硬的非线性/部分核心校正，交换相关泛函相对于FFT网格的收敛性可能会导致一些问题。
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什么时候需要手动设置ENCUT(和ENAUG)
一般情况下使用POTCAR中给出的ENCUT和ENAUG默认值都是没问题。但是在计算多组分体相体系的能量差时(如Co –CoSi – Si)，分别使用默认的ENCUT去计算纯Co和纯Si的能量时会出现不同的结果，所以在进行此类计算时建议使用相同的ENCUT和ENAUG来进行计算(取POTCAR中最大值)。还有一种情况就是计算表面吸附能的时候。我们分别需要计算一个孤立分子、一个单一的表面以及吸附有分子的表面，这些计算都应该保持ENCUT和ENAUG一致。以上便是今天教程的所有内容，大家在进行计算的时候可以多测试NBANDS、k点采样以及ENCUT值，一次选择出最优的参数设置。【资源之家】每日免费更新最热门的副业项目资源
